欢迎进入欧宝体育首页官网!

2021最新电子元器件综相符知识大全
栏目导航
当前位置:欧宝体育首页 > 欧宝资讯 >
2021最新电子元器件综相符知识大全
浏览:62 发布日期:2021-05-31
第一章  电子元器件第一节、电阻器1.1  电阻器的含义:在电路中对电流有窒碍作用并且造成能量消耗的片面叫电阻.1.2  电阻器的英文缩写:R(Resistor) 及排阻RN

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

1.3 电阻器在电路符号: R                 或           WWW

图片

1.4 电阻器的常见单位:千欧姆(KΩ),兆欧姆(MΩ)1.5  电阻器的单位换算:1兆欧=103千欧=106欧1.6  电阻器的特性:电阻为线性原件,即电阻两端电压与流过电阻的电流成正比,经过这段导体的电流强度与这段导体的电阻成反比。即欧姆定律:I=U/R。外   1.7 电阻的作用为分流、限流、分压、偏置、滤波(与电容器组相符行使)和阻抗匹配等。1.8  电阻器在电路中用“R”添数字外示,如:R15外示编号为15的电阻器。1.9  电阻器的在电路中的参数标注手段有3栽,即直标法、色标法和数标法。a、直标法是将电阻器的标称值用数字和文字符号直接标在电阻体上,其批准误差则用百分数外示,未标误差值的即为±20%.b、数码标示法主要用于贴片等幼体积的电路,在三为数码中,从左至右第一,二位数外示有效数字,第三位外示10的倍幂或者用R外示(R外示0.)如:472 外示 47×102Ω(即4.7KΩ);  104则外示100KΩ、;R22外示0.22Ω、 122=1200Ω=1.2KΩ、  1402=14000Ω=14KΩ、  R22=0.22Ω、 50C=324*100=32.4KΩ、17R8=17.8Ω、000=0Ω、  0=0Ω.c、色环标注法行使最众,清淡的色环电阻器用4环外示,详细电阻器用5环外示,紧靠电阻体一端头的色环为第一环,露着电阻体本色较众的另一端头为末环.现举例如下:倘若色环电阻器用四环外示,前线两位数字是有效数字,第三位是10的倍幂,第四环是色环电阻器的误差周围(见图一)四色环电阻器(清淡电阻)

图片

图片

                                   标称值第一位有效数字

图片

图片

                                       标称值第二位有效数字

图片

图片

                                          标称值有效数字后0的个数(10的倍幂)

图片

图片

                                               批准误差

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

颜    色第一位有效值第二位有效值倍     率允 许 偏 差暗00

图片

棕11

图片

±1%红22

图片

±2%橙33

图片

黄44

图片

绿55

图片

±0.5%蓝66

图片

±0.25%紫77

图片

±0.1%灰88

图片

白99

图片

―20% ~ +50%金

图片

图片

5%银

图片

图片

10%无色

图片

20%图1-1   两位有效数字阻值的色环外示法倘若色环电阻器用五环外示,前线三位数字是有效数字,第四位是10的倍幂.   第五环是色环电阻器的误差周围.(见图二)五色环电阻器(详细电阻)

图片

图片

                            标称值第一位有效数字

图片

图片

                                                标称值第二位有效数字标称值第三位有效数字

图片

图片

                                        标称值有效数字后0的个数(10的倍幂)

图片

图片

                                            批准误差

图片

颜色第一位有效值第二位有效值第三位有效值倍   率批准误差暗000

图片

棕111

图片

图片

1%红222

图片

图片

2%橙333

图片

黄444

图片

绿555

图片

图片

0.5%蓝666

图片

图片

0.25紫777

图片

图片

0.1%灰888

图片

白999

图片

-20%~+50%金

图片

±5%银

图片

±10%图1-2  三位有效数字阻值的色环外示法d、SMT详细电阻的外示法,清淡也是用3位标示。清淡是2位数字和1位字母外示,两个数字是有效数字,字母外示10的倍幂,但是要根据实际情况到详细电阻查询外里出查找.下面是详细电阻的查询外:代码阻值代码阻值代码阻值代码阻值代码阻值coderesiscanecoderesiscancecoderesiscancecoderesiscancecoderesiscance1100211624126161422816812102221654226762432826983105231694327463442837154107241744428064453847325110251784528765464857506113261824629466475867687115271874730167487877878118281914830968499888069121290.19649316695118982510124302005032470523908451112731320551332715369186612130322105234072549928871313333215533487356293909141373422154357745769493115140352265536575590949811614336232563747660495953171473723757383/388776199697618150382435839278634969761915439249594027964920153402556041280665symbolABCDEFGHXYZmultipliers10010110210310410510610710-110-210-31.10  SMT电阻的尺寸外示:用长和宽外示(如0201,0603,0805,1206等,详细如02外示长为0.02英寸宽为0.01英寸)。1.11 清淡情况下电阻在电路中有两栽接法:串联接法和并联接法

图片

图片

电阻的计算:

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

R1

图片

图片

图片

                  R1    R2R2

图片

图片

图片

         串连:                        并联:R=R1+R2                            R=1/R1+1/R21.12  众个电阻的串并联的计算手段:串联:R总串=R1+R2+R3+……Rn.并联:1/R总并=1/R+2/R+3/R……1/Rn1.13  电阻器益坏的检测:a、用指针万用外鉴定电阻的益坏:最先选择测量档位,再将倍率档旋钮置于正当的档位,清淡100欧姆以下电阻器可选RX1档,100欧姆-1K欧姆的电阻器可选RX10档,1K欧姆-10K欧姆电阻器可选RX100档,10K-100K欧姆的电阻器可选RX1K档,100K欧姆以上的电阻器可选RX10K档.b、测量档位选择确定后,对万用外电阻档为进走校0, 校0的手段是:将万用外两外笔金属棒短接,不悦目察指针有无到0的位置,倘若不在0位置,调整调零旋钮外针指向电阻刻度的0位置.c、接着将万用外 的两外笔别离和电阻器的两端相接,外针答指在响答的阻值刻度上,倘若外针不动和指使担心详或指使值与电阻器上的标示值相差很大,则表明该电阻器已损坏.d、用数字万用外鉴定电阻的益坏;最先将万用外的档位旋钮调到欧姆档的正当档位,清淡200欧姆以下电阻器可选200档,200-2K欧姆电阻器可选2K档,2K-20K欧姆可选20K档,20K-200K欧姆的电阻器可选200K档,200K-200M欧姆的电阻器选择2M欧姆档.2M-20M欧姆的电阻器选择20M档,20M欧姆以上的电阻器选择200M档.第二节 电容器2.1  电容器的含义:衡量导体蓄积电荷能力的物理量.2.2  电容器的英文缩写:C (capacitor)

图片

图片

图片

图片

   2.3  电容器在电路中的外示符号:   C             或CN(排容)2.4 电容器常见的单位: 毫法(mF)、微法(uF)、纳法(nF)、皮法(pF)2.5 电容器的单位换算: 1法拉=103毫法=106微法=109纳法=1012皮法; ;1pf=10-3nf=10-6uf=10-9mf=10-12f;2.6  电容的作用:隔直流,旁路,耦相符,滤波,赔偿,充放电,储能等2.7  电容器的特性: 电容器容量的大幼就是外示能贮存电能的大幼,电容对交流信号的窒碍作用称为容抗,它与交流信号的频率和电容量相关。。电容的特性主要是隔直流通交流,通矮频阻高频2.8  电容器在电路中清淡用“C”添数字外示.如C25外示编号为25的电容.2.9  电容器的识别手段与电阻的识别手段基原形通,分直标法、色标法和数标法3栽。a; 直标法是将电容的标称值用数字和单位在电容的本体上外示出来:如:220MF外示220UF;.01UF外示0.01UF;R56UF外示0.56UF;6n8外示6800PF.b; 不标单位的数码外示法.其中用一位到四位数外示有效数字,清淡为PF,而电解电容其容量则为UF.如:3外示3PF;2200外示2200PF;0.056外示0.056UF;c; 数字外示法:清淡用三为数字外示容量的大幼,前两位外示有效数字,第三位外示10的倍幂.如102外示10*102=1000PF;224外示22*104=0.2UFd: 用色环或色点外示电容器的主要参数。电容器的色标法与电阻相通。电容器误差标志符号:+100%-0--H、+100%-10%--R、+50%-10%--T、+30%-10%--Q、+50%-20%--S、+80%-20%--Z。2.10 电容的分类:根据极性可分为有极性电容和无极性电容.吾们常见到的电解电容就是有极性的,是有正负极之分.2.11 电容器的主要性能指标是: 电容器的容量(即蓄积电荷的容量),耐压值(指在额定温度周围内电容能长时间郑重做事的最大直流电压或最大交流电压的有效值)耐温值(外示电容所能承受的最高做事温度。).2.12 电容器的品牌有: 主板电容主要分为台系和日系两栽,日系品牌有:NICHICON,RUBICON,RUBYCON(红宝石)、KZG、SANYO(三洋)、PANASONIC(松下)、NIPPON、FUJITSU(富士通)等;台系品牌有:TAICON、G-LUXCON、TEAPO、CAPXON、OST、GSC、RLS等。电容器的计算:

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

        C1      c2

图片

图片

图片

图片

                                            c1           c2

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

串连:                             并联:1/C=1/C1+1/C2                           C=C1+C22.13  众个电容的串联和并联计算公式:C串:1/C=1/C1+1/C2+1/C3+.....+1/CNC并C=C1+C2+C3+……+CN2.14 电容器的益坏测量a;脱离线路时检测采用万用外R×1k挡,在检测前,先将电解电容的两根引脚相碰,以便放失踪电容内残余的电荷.当外笔刚接通时,外针向右偏转一个角度,然后外针缓慢地向左回转,末了外针停下。外针停下来所指使的阻值为该电容的漏电电阻,此阻值愈大愈益,最益答挨近无穷大处。倘若漏电电阻只有几十千欧,表明这一电解电容漏电主要。外针向右摆动的角度越大(外针还答该向左回摆),表明这一电解电容的电容量也越大,反之表明容量越幼。b.线路上直接检测主要是检测电容器是否已开路或已击穿这两栽清晰故障,而对漏电故障由于受外电路的影响清淡是测禁绝的。用万用外R×1挡,电路断开后,先放失踪残存在电容器内的电荷。测量时若外针向右偏转,表明电解电容内部断路。倘若外针向右偏转后所指使的阻值很幼(挨近短路),表明电容器主要漏电或已击穿。倘若外针向右偏后无回转,但所指使的阻值不很幼,表明电容器开路的能够很大,答脱开电路后进一步检测。c.线路上通电状态时检测,若疑心电解电容只在通电状态下才存在击穿故障,能够给电路通电,然后用万用外直流挡测量该电容器两端的直流电压,倘若电压很矮或为0V,则是该电容器已击穿。 对于电解电容的正、负极标志不隐微的,必须先判别出它的正、负极。对换万用外笔测两次,以漏电大(电阻值幼)的一次为准,暗外笔所接一脚为负极,另一脚为正极。

图片

第三节  电感器

图片

   3.1 电感器的英文缩写:L (Inductance)      电路符号:

图片

3.2  电感器的国际标准单位是: H(亨利),mH(毫亨),uH(微亨),nH(纳亨);3.3  电感器的单位换算是: 1H=103mH=106u H=109n H;1n H=10-3u H=10-6mH=10 -9H3.4  电感器的特性:通直流隔交流;通矮频阻高频。3.5  电感器的作用:滤波,陷波,振荡,蓄积磁能等。3.6  电感器的分类:空芯电感和磁芯电感.磁芯电感又可称为铁芯电感和铜芯电感等.主机板中常见的是铜芯绕线电感.3.7 电感在电路中常用“L”添数字外示,如:L6外示编号为6的电感。电感线圈是将绝缘的导线在绝缘的骨架上绕必定的圈数制成。直流可经过线圈,直流电阻就是导线自己的电阻,压降很幼;当交流信号经过线圈时,线圈两端将会产生自感电动势,自感电动势的倾向与外添电压的倾向相背,窒碍交流的经过,因此电感的特性是通直流阻交流,频率越高,线圈阻抗越大。电感在电路中可与电容构成振荡电路。电感清淡有直标法和色标法,色标法与电阻相通。如:棕、暗、金、金外示1uH(误差5%)的电感。3.8  电感的益坏测量:电感的质量检测包括外面和阻值测量.最先检测电感的外外有无完善,磁性有完益损,裂缝,金属片面有无侵蚀氧化,标志有无完善清亮,接线有无断裂和拆伤等.用万用外对电感作初步检测,测线圈的直流电阻,并与原已知的平常电阻值进走比较.倘若检测值比平常值隐微添大,或指针不动,能够是电感器本体断路.若比平常值幼很众,可判断电感器本体主要短路,线圈的片面短路需用专用仪器进走检测.第四节 半导体二极管

图片

图片

图片

图片

图片

图片

4.1  英文缩写:D(Diode)            电路符号是4.2  半导体二极管的分类分类:a 按材质分:硅二极管和锗二极管;b按用途分:整流二极管,检波二极管,稳压二极管,发光二极管,光电二极管,变容二极管。

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

      稳压二极管    发光二极管     光电二极管          变容二极管4.3  半导体二极管在电路中常用“D”添数字外示,如:D5外示编号为5的半导体二极管。4.4  半导体二极管的导通电压是:a;硅二极管在两极添上电压,并且电压大于0.6V时才能导通,导通后电压保持在0.6-0.8V之间.B;锗二极管在两极添上电压,并且电压大于0.2V时才能导通,导通后电压保持在0.2-0.3V之间.4.5  半导体二极管主要特性是单向导电性,也就是在正向电压的作用下,导通电阻很幼;而在反向电压作用下导通电阻极大或无穷大。4.6 半导体二极管可分为整流、检波、发光、光电、变容等作用。4.7 半导体二极管的识别手段:a;现在视法判断半导体二极管的极性:清淡在实物的电路图中能够经过眼睛直接望出半导体二极管的正负极.在实物中倘若望到一端有颜色标示的是负极,另外一端是正极.b;用万用外(指针外)判断半导体二极管的极性:清淡选用万用外的欧姆档(R﹡100或R﹡1K),然后别离用万用外的两外笔别离出接到二极管的两个极上出,当二极管导通,测的阻值较幼(清淡几十欧姆至几千欧姆之间),这时暗外笔接的是二极管的正极,红外笔接的是二极管的负极.当测的阻值很大(清淡为几百至几千欧姆),这时暗外笔接的是二极管的负极,红外笔接的是二极管的正极.c;测试仔细事项:用数字式万用外往测二极管时,红外笔接二极管的正极,暗外笔接二极管的负极,此时测得的阻值才是二极管的正向导通阻值,这与指针式万用外的外笔接法刚益相背。4.8  变容二极管是根据清淡二极管内部 “PN结” 的结电容能随外添反向电压的转折而转折这一原理特意设计出来的一栽稀奇二极管。变容二极管在无绳电话机中主要用在手机或座机的高频调制电路上,实现矮频信号调制到高频信号上,并发射出往。在做事状态,变容二极管调制电压清淡添到负极上,使变容二极管的内部结电容容量随调制电压的转折而转折。变容二极管发生故障,主要外现为漏电或性能变差:(1)发生漏电表象时,高频调制电路将不做事或调制性能变差。(2)变容性能变差时,高频调制电路的做事担心详,使调制后的高频信号发送到对方被对方授与后产生失真。展现上述情况之暂时,就答该更换同型号的变容二极管。4.9  稳压二极管的基本知识a、稳压二极管的稳压原理:稳压二极管的特点就是击穿后,其两端的电压基本保持不变。云云,当把稳压管接入电路以后,若由于电源电压发生震动,或其它因为造成电路中各点电压转折时,负载两端的电压将基本保持不变。b、故障特点:稳压二极管的故障主要外现在开路、短路和稳压值担心详。在这3栽故障中,前一栽故障外现出电源电压提高;后2栽故障外现为电源电压变矮到零伏或输出担心详。c、 常用稳压二极管的型号及稳压值如下外:型 号 1N4728 1N4729 1N4730 1N4732 1N4733 1N47341N4735 1N4744 1N4750 1N4751 1N4761稳压值 3.3V 3.6V 3.9V4.7V 5.1V 5.6V 6.2V 15V 27V 30V 75V4.10   半导体二极管的伏安特性:二极管的基本特性是单向导电性(注:硅管的导通电压为0.6-0.8V;锗管的导通电压为0.2-0.3V),而工程分析时清淡采用的是0.7V.4.11  半导体二极管的伏安特性弯线:(经过二极管的电流I与其两端电压U的相关弯线为二极管的伏安特性弯线。)见图三.

图片

图三  硅和锗管的伏安特性弯线4.12  半导体二极管的益坏判别:用万用外(指针外)R﹡100或R﹡1K档测量二极管的正,反向电阻请求在1K旁边,反向电阻答在100K以上.总之,正向电阻越幼,越益.反向电阻越大越益.若正向电阻无穷大,表明二极管内部断路,若反向电阻为零,外明二极管以击穿,内部断开或击穿的二极管均不及行使。第五节  半导体三极管5.1  半导体三极管英文缩写:Q/T5.2   半导体三极管在电路中常用“Q”添数字外示,如:Q17外示编号为17的三极管。5.3半导体三极管特点:半导体三极管(简称晶体管)是内部含有2个PN结,并且具有放大能力的稀奇器件。它分NPN型和PNP型两栽类型,这两栽类型的三极管从做事特性上可互相弥补,所谓OTL电路中的对管就是由PNP型和NPN型配对行使。按原料来分 可分硅和锗管,吾国现在生产的硅管众为NPN型,锗管众为PNP型。

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

 `E(发射极)                     C(集电极)   E(发射极)               C(集电极)

图片

图片

B(基极)B(基极)NPN型三极管                                PNP型三极管5.4 半导体三极管放大的条件:要实现放通走用,必须给三极管添正当的电压,即管子发射结必须具备正向偏压,而集电极必须反向偏压,这也是三极管的放大必须具备的外部条件。5.5 半导体三极管的主要参数a; 电流放大系数:对于三极管的电流分配规律Ie=Ib+Ic,由于基极电流Ib的转折,使集电极电流Ic发生更大的转折,即基极电流Ib的微弱转折限制了集电极电流较大,这就是三极管的电流放大原理。即β=ΔIc/ΔIb。b;极间反向电流,集电极与基极的反向饱和电流。c;极限参数:反向击穿电压,集电极最大批准电流、集电极最大批准功率消耗。5.6半导体三极管具有三栽做事状态,放大、饱和、截止,在模拟电路中清淡行使放通走用。饱和和截止状态清淡相符用在数字电路中。a;半导体三极管的三栽基本的放大电路。共射极放大电路共集电极放大电路共基极放大电路电路样式

图片

图片

图片

直流通道

图片

图片

图片

静态做事点

图片

图片

图片

交流通道

图片

图片

图片

微变等效电路

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

riRb//rbe

图片

图片

roRC

图片

RC用途众级放大电路的中心级输入、输出级或缓冲级高频电路或恒流源电路b;三极管三栽放大电路的区别及判断能够从放大电路中经过交流信号的传输路径来判断,异国交流信号经过的极,就叫此极为公共极。注:交流信号从基极输入,集电极输出,那发射极就叫公共极。交流信号从基极输入,发射极输出,那集电极就叫公共极。交流信号从发射极输入,集电极输出,那基极就叫公共极。5.7 用万用外判断半导体三极管的极性和类型(用指针式万用外).a;先选量程:R﹡100或R﹡1K档位.b;判别半导体三极管基极:用万用外暗外笔固定三极管的某一个电极,红外笔别离接半导体三极管另外两各电极,不悦目察指针偏转,若两次的测量阻值都大或是都幼,则改脚所接就是基极(两次阻值都幼的为NPN型管,两次阻值都大的为PNP型管),若两次测量阻值一大一幼,则用暗笔重新固定半导体三极管一个引脚极不息测量,直到找到基极。c;.判别半导体三极管的c极和e极:确定基极后,对于NPN管,用万用外两外笔接三极管另外两极,交替测量两次,若两次测量的效果不相称,则其中测得阻值较幼得一次暗笔接的是e极,红笔接得是c极(若是PNP型管则暗红外笔所接得电极相背)。d; 判别半导体三极管的类型.倘若已知某个半导体三极管的基极,能够用红外笔接基极,暗外笔别离测量其另外两个电极引脚,倘若测得的电阻值很大,则该三极管是NPN型半导体三极管,倘若测量的电阻值都很幼,则该三极管是PNP型半导体三极管.5.8 现在常见的三极管大片面是塑封的,如何实在判断三极管的三只引脚哪个是b、c、e?三极管的b极很容易测出来,但怎么断定哪个是c哪个是e?a; 这边保举三栽手段:第一栽手段:对于有测三极管hFE插孔的指针外,先测出b极后,将三极管肆意插到插孔中往(自然b极是能够插实在的),测一下hFE值,b;然后再将管子倒过来再测一遍,测得hFE值比较大的一次,各管脚插入的位置是正确的。第二栽手段:对无hFE测量插孔的外,或管子太大不方便插入插孔的,能够用这栽手段:对NPN管,先测出b极(管子是NPN照样PNP以及其b脚都很容易测出,是吧?),将外置于R×1kΩ档,将红外笔接倘若的e极(仔细拿红外笔的手不要碰到外笔尖或管脚),暗外笔接倘若的c极,同时用手指捏住外笔尖及这个管脚,将管子挑首来,用你的舌尖舔一下b极,望外头指针答有必定的偏转,倘若你各外笔接得正确,指针偏转会大些,倘若接得过错,指针偏转会幼些,差别是很清晰的。由此就可鉴定管子的c、e极。对PNP管,要将暗外笔接倘若的e极(手不要碰到笔尖或管脚),红外笔接倘若的c极,同时用手指捏住外笔尖及这个管脚,然后用舌尖舔一下b极,倘若各外笔接得正确,外头指针会偏转得比较大。自然测量时外笔要交换一下测两次,比较读数后才能末了鉴定。这个手段适用于一切外形的三极管,方便实用。根据外针的偏转幅度,还能够推想出管子的放大能力,自然这是凭经验的。c;第三栽手段:先鉴定管子的NPN或PNP类型及其b极后,将外置于R×10kΩ档,对NPN管,暗外笔接e极,红外笔接c极时,外针能够会有必定偏转,对PNP管,暗外笔接c极,红外笔接e极时,外针能够会有必定的偏转,反过来都不会有偏转。由此也能够鉴定三极管的c、e极。不过对于高耐压的管子,这个手段就不适用了。对于常见的进口型号的大功率塑封管,其c极基本都是在中心(吾还没见过b在中心的)。中、幼功率管有的b极能够在中心。比如常用的9014三极管及其系列的其它型号三极管、2SC1815、2N5401、2N5551等三极管,其b极有的在就中心。自然它们也有c极在中心的。因此在修缮更换三极管时,尤其是这些幼功率三极管,不走拿来就按原样直接安上,必定要先测一下.5.9  半导体三极管的分类:a;按频率分:高频管和矮频管b;按功率分:幼功率管,中功率管和的功率管c;按机构分:PNP管和NPN管d;按材质分:硅管和锗管e;按功能分:开关管和放大5.10  半导体三极管特性:三极管具有放大功能(三极管是电流限制型器件-经过基极电流或是发射极电流往限制集电极电流;又由于其众子和少子都可导电称为双极型元件)NPN型三极管共发射极的特性弯线。

图片

                                IC(mA)IB(mA)                                                    80μA4饱UCE=0V     1V             和         放大区         60μA3 区0.4                       ΔIC           ΔIB                40μA20.2                                                           20μA10   0.4  0.6  0.8  UBE(V)                                 IB=0μA截止区输入特性弯线            0     2     4      6      8     UCE(V)输出特性弯线三极管各区的做事条件:1.放大区:发射结正偏,集电结反偏:2.饱和区:发射结正偏,集电结正偏;3.截止区:发射结反偏,集电结反偏。5.11  半导体三极管的益坏检测a;先选量程:R﹡100或R﹡1K档位b;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值:红外笔接基极,暗外笔接发射极,所测得阻值为发射极正向电阻值,若将暗外笔接集电极(红外笔不动),所测得阻值便是集电极的正向电阻值,正向电阻值愈幼愈益.c;测量PNP型半导体三极管的发射极和集电极的反向电阻值:将暗外笔接基极,红外笔别离接发射极与集电极,所测得阻值别离为发射极和集电极的反向电阻,反向电阻愈幼愈益.d;测量NPN型半导体三极管的发射极和集电极的正向电阻值的手段和测量PNP型半导体三极管的手段相背.第六节  场效答管(MOS管)6.1场效答管英文缩写:FET(Field-effect transistor)6.2  场效答管分类:结型场效答管和绝缘栅型场效答管6.3  场效答管电路符号:

图片

图片

      D                 D

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

     G              G结型场效答管S             SN沟道         P沟道6.4场效答管的三个引脚别离外示为:G(栅极),D(漏极),S(源极)

图片

图片

图片

图片

图片

           D          D            D           D

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

图片

    GG         G           G               绝缘栅型场效答管S                        S          S添强型          S         耗尽型N沟道          P沟道      N沟道    P沟道注:场效答管属于电压限制型元件,又行使众子导电故称单极型元件,且具有输入电阻高,噪声幼,功耗矮,无二次击穿表象等益处。6.5场效答晶体管的益处:具有较高输入电阻高、输入电流矮于零,几乎不要向信号源吸收电流,在在基极注入电流的大幼,直接影响集电极电流的大幼,行使输出电流限制输出电源的半导体。6.6场效答管与晶体管的比较(1)场效答管是电压限制元件,而晶体管是电流限制元件。在只批准从信号源取较少电流的情况下,答选用场效答管;而在信号电压较矮,又批准从信号源取较众电流的条件下,答选用晶体管。(2)场效答管是行使无数载流子导电,因此称之为单极型器件,而晶体管是即有无数载流子,也行使幼批载流子导电。被称之为双极型器件。(3)有些场效答管的源极和漏极能够互换行使,栅压也可正可负,变通性比晶体管益。(4)场效答管能在很幼电流和很矮电压的条件下做事,而且它的制造工艺能够很方便地把很众场效答管集成在一块硅片上,因此场效答管6.7  场效答管益坏与极性判别:将万用外的量程选择在RX1K档,用暗外笔接D极,红外笔接S极,用手同时触及一下G,D极,场效答管答呈瞬时导通状态,即外针摆向阻值较幼的位置,再用手触及一下G,S极, 场效答管答无响答,即外针回零位置不动.此时答可判断出场效答管为益管.将万用外的量程选择在RX1K档,别离测量场效答管三个管脚之间的电阻阻值,若某脚与其他两脚之间的电阻值均为无穷大时,并且再交换外笔后仍为无穷大时,则此脚为G极,其它两脚为S极和D极.然后再用万用外测量S极和D极之间的电阻值一次,交换外笔后再测量一次,其中阻值较幼的一次,暗外笔接的是S极,红外笔接的是D极.第七节  集成电路7.1 集成电路的英文缩写  IC(integrate circuit)7.2 电路中的外示符号:  U7.3集成电路的益处是:集成电路是在一块单晶硅上,用光刻法制作出很众三极管,二极管,电阻和电容,并遵命特定的请求把他们连接首来,构成一个完善的电路.由于集成电路具有体积幼,重量轻,郑重性高和性能安详等益处,因此稀奇是大周围和超大周围的集成电路的展现,是电子设备在微型化,郑重性和变通性方面向前推进了一大步.7.4 集成电路常见的封装样式BGA(ball grid array)球栅阵列(封装)  见图二QFP(quad flat package)四面有鸥翼型脚(封装)  见图一SOIC(small outline integrated circuit) 两面有鸥翼型脚(封装)   见图五PLCC(plastic leaded chip carrier)四边有内勾型脚(封装)  见图三SOJ(small outline junction) 双方有内勾型脚(封装)  见图四

图片

                

图片

图一                                      图二

图片

    

图片

                              

图片

图三                                       图四

图片

图五7.5集成电路的脚位判别;1. 对于BGA封装(用坐标外示):在打点或是有颜色标示处反时针最先数用英文字母外示-A,欧宝资讯B,C,D,E……(其中I,O基本不必),顺时针用数字外示-1,2,3,4,5,6……其中字母位横坐标,数字为纵坐标 如:A1,A22. 对于其他的封装:在打点,有凹槽或是有颜色标示处反时针最先数为第一脚,第二脚,第三脚……7.6  集成电路常用的检测手段有在线测量法、非在线测量法和代换法。1.非在线测量 非在线测量潮在集成电路未焊入电路时,经过测量其各引脚之间的直流电阻值与已知平常同型号集成电路各引脚之间的直流电阻值进走对比,以确定其是否平常。2.在线测量 在线测量法是行使电压测量法、电阻测量法及电流测量法等,经过在电路上测量集成电路的各引脚电压值、电阻值和电流值是否平常,来判断该集成电路是否损坏。3.代换法 代换法是用已知完善的同型号、同规格集成电路来代换被测集成电路,能够判断出该集成电路是否损坏。第八节 Socket,Slot8.1   Socket和Slot的异同:Socket是一栽插座封装样式,是一栽矩型的插座(见图六); Slot是一栽插槽封装样式,是一栽长方形的插槽(图七).

图片

图六

图片

  图七第九节 PCB的简介9.1  PCB的英文缩写PCB(PrintedCircuit Board)9.2  PCB的作用:PCB行为一块基板,他是装载其它电子元器件的载体,因此一块PCB设计的益坏将直接影响到产品质量的益坏.9.3  PCB的分类和常见的规格:根据层数可分为单面板,双面板和众层板.吾们主机板常用的是4层板或者6层板,而表现卡用的是8层板.而主机板的尺寸为:AT规格的主机板尺寸清淡为13X12(单位为英寸);ATX主机板的尺寸清淡为12X96(单位为英寸);Micro Atx主机板尺寸清淡为9.6X9.6(单位为英寸)  .注解:1英寸=2.54CM第十节   晶振10.1晶振在线路中的符号是"X”,"Y”10.2晶振的名词注释:能产生具有必定幅度及频率波形的振荡器.

图片

图片

图片

图片

图片

图片

10.3晶振在线路图中的外示符号:10.4晶振的测量手段:测量电阻手段:用万用外RX10K档测量石英晶体振荡器的正,反向电阻值.平常时答为无穷大.若测得石英晶体振荡器有必定的阻值或为零,则表明该石英晶体振荡器已漏电或击穿损坏.动态测量手段:用是波器在电路做事时测量它的实际振荡频是否相符该晶体的额定振荡频率,倘若是,表明该晶振是平常的,倘若该晶体的额定振荡频率偏矮,偏高或根本不首振,外明该晶振已漏电或击穿损坏第十一节 基本逻辑门电路1.1  门电路的概念:实现基本和常用逻辑运算的电子电路,叫逻辑门电路。实现与运算的叫与门,实现或运算的叫或门,实现非运算的叫非门,也叫做反相器,等等(用逻辑1外示高电平;用逻辑0外示矮电平)11.2  与门:逻辑外达式   F=A B

图片

即只有当输入端A和B均为1时,输出端Y才为1,不然Y为0.与门的常用芯片型号有:74LS08,74LS09等.11.3  或门:            逻辑外达式   F=A+ B

图片

即当输入端A和B有一个为1时,输出端Y即为1,因此输入端A和B均为0时,Y才会为O.或门的常用芯片型号有:74LS32等.

图片

图片

图片

11.4.非门         逻辑外达式 F=A

图片

即输出端总是与输入端相背.非门的常用芯片型号有:74LS04,74LS05,74LS06,74LS14等.

图片

11.5.与非门       逻辑外达式  F=AB

图片

图片

即只有当一切输入端A和B均为1时,输出端Y才为0,不然Y为1.与非门的常用芯片型号有:74LS00,74LS03,74S31,74LS132等.11.6.或非门:    逻辑外达式  F=A+B

图片

即只要输入端A和B中有一个为1时,输出端Y即为0.因此输入端A和B均为0时,Y才会为1.或非门常见的芯片型号有:74LS02等.

图片

图片

图片

11.7.同或门: 逻辑外达式F=A B+A B

图片

图片

图片

=1

图片

A                                            F

图片

B

图片

图片

11.8.异或门:逻辑外达式F=A B+A B=1

图片

A

图片

图片

                              F

图片

   B

图片

11.9.与或非门:逻辑外逻辑外达式F=AB+CD

图片

≥1AB

图片

图片

图片

C

图片

                           F

图片

图片

 D11.10.RS触发器:电路组织

图片

把两个与非门G1、G2的输入、输出端交叉连接,即可构成基本RS触发器,其逻辑电路如图7.2.1.(a)所示。它有两个输入端R、S和两个输出端Q、Q。

图片

做事原理 :基本RS触发器的逻辑方程为:

图片

根据上述两个式子得到它的四栽输入与输出的相关:1.当R=1、S=0时,则Q=0,Q=1,触发器置1。 2.当R=0、S=1时,则Q=1,Q=0,触发器置0。如上所述,当触发器的两个输入端添入分歧逻辑电一般,它的两个输出端Q和Q有两栽互补的安详状态。清淡规定触发器Q端的状态行为触发器的状态。清淡称触发器处于某栽状态,实际是指它的Q端的状态。Q=1、Q=0时,称触发器处于1态,反之触发器处于0态。S=0,R=1使触发器置1,或称置位。因置位的决定条件是S=0,故称S 端为置1端。R=0,S=1时,使触发器置0,或称复位。同理,称R端为置0端或复位端。若触发器正本为1态,欲使之变为0态,必须令R端的电平由1变0,S端的电平由0变1。这边所添的输入信号(矮电平)称为触发信号,由它们导致的转换过程称为翻转。由于这边的触发信号是电平,因此这栽触发器称为电平限制触发器。从功能方面望,它只能在S和R的作用下置0和置1,因此又称为置0置1触发器,或称为置位复位触发器。其逻辑符号如图7.2.1(b)所示。由于置0或置1都是触发信号矮电平有效,因此,S端和R端都画有幼圆圈。3.当R=S=1时,触发器状态保持不变。触发器保持状态时,输入端都添非有效电平(高电平),必要触发翻转时,请求在某一输入端添一负脉冲,例如在S端添负脉冲使触发器置1,该脉冲信号回到高电平后,触发器仍维持1状态不变,相当于把S端某暂时刻的电平信号存储首来,这表现了触发器具有记忆功能。4.当R=S=0时,触发器状态不确定在此条件下,两个与非门的输出端Q和Q全为1,在两个输入信号都同时撤往(回到1)后,由于两个与非门的耽延时间无法确定,触发器的状态不及确定是1照样0,因此称这栽情况为不定状态,这栽情况答当避免。从另外一个角度来说,正由于R端和S端完善置0、置1都是矮电平有效,因此二者不及同时为0。此外,还能够用或非门的输入、输出端交叉连接构成置0、置1触发器,其逻辑图和逻辑符号别离如图7.2.2(a)和7.2.2(b)所示。这栽触发器的触发信号是高电平有效,因此在逻辑符号的S端和R端异国幼圆圈。

图片

2.特征方程

图片

图片

基本RS触发器的特性:1.基本RS触发器具有置位、复位和保持(记忆)的功能;2.基本RS触发器的触发信号是矮电平有效,属于电平触发手段;3.基本RS触发器存在收敛条件(R+S=1),由于两个与非门的耽延时间无法确定;当R=S=0时,将导致下一状态的不确定。4.当输入信号发生转折时,输出即刻就会发生响答的转折,即抗作梗性能较差。第十二节  TTL逻辑门电路以双极型半导体管为基本元件,集成在一块硅片上,并具有必定的逻辑功能的电路称为双极型逻辑集成电路,简称TTL逻辑门电路。称Transistor-Transistor Logic,即BJT-BJT逻辑门电路,是数字电子技术中常用的一栽逻辑门电路,行使较早,技术已比较成熟。TTL主要有BJT(Bipolar Junction Transistor 即双极结型晶体管,晶体三极管)和电阻构成,具有速度快的特点。最早的TTL门电路是74系列,后来展现了74H系列,74L系列,74LS,74AS,74ALS等系列。但是由于TTL功耗大等弱点,正逐渐被CMOS电路取代。12.1  CMOS逻辑门电路CMOS逻辑门电路是在TTL电路问世之后 ,所开发出的第二栽普及行使的数字集成器件,从发展趋势来望,由于制造工艺的改进,CMOS电路的性能有能够超越TTL而成为占主导地位的逻辑器件 。CMOS电路的做事速度可与TTL相比较,而它的功耗和抗作梗能力则远优于TTL。此外,几乎一切的超大周围存储器件 ,以及PLD器件都采用CMOS艺制造,且费用较矮。早期生产的CMOS门电路为4000系列,随后发展为4000B系列。现在与TTL兼容的CMO器件如74HCT系列等可与TTL器件交换行使。下面最先商议CMOS反相器,然后介绍其他CMO逻辑门电路。

图片

MOS管组织图MOS管主要参数:1.开启电压VT·开启电压(又称阈值电压):使得源极S和漏极D之间最先形成导电沟道所需的栅极电压;·标准的N沟道MOS管,VT约为3~6V;·经过工艺上的改进,能够使MOS管的VT值降到2~3V。2. 直流输入电阻RGS·即在栅源极之间添的电压与栅极电流之比·这一特性未必以流过栅极的栅流外示·MOS管的RGS能够很容易地超过1010Ω。3. 漏源击穿电压BVDS·在VGS=0(添强型)的条件下 ,在增补漏源电压过程中使ID最先剧添时的VDS称为漏源击穿电压BVDS·ID剧添的因为有下列两个方面:(1)漏极附近耗尽层的雪崩击穿(2)漏源极间的穿通击穿·有些MOS管中,其沟道长度较短,不息增补VDS会使漏区的耗尽层一向扩展到源区,使沟道长度为零,即产生漏源间的穿通,穿通后,源区中的无数载流子,将直批准耗尽层电场的吸引,到达漏区,产生大的ID4. 栅源击穿电压BVGS·在增补栅源电压过程中,使栅极电流IG由零最先剧添时的VGS,称为栅源击穿电压BVGS。5. 矮频跨导gm·在VDS为某一固定数值的条件下 ,漏极电流的微变量和引首这个转折的栅源电压微变量之比称为跨导·gm响答了栅源电压对漏极电流的限制能力·是外征MOS管放大能力的一个主要参数·清淡在十分之几至几mA/V的周围内6. 导通电阻RON·导通电阻RON表明了VDS对ID的影响,是漏极特性某一点切线的斜率的倒数·在饱和区,ID几乎不随VDS转折,RON的数值很大 ,清淡在几十千欧到几百千欧之间·由于在数字电路中 ,MOS管导通时频繁做事在VDS=0的状态下,因此这时的导通电阻RON可用原点的RON来近似·对清淡的MOS管而言,RON的数值在几百欧以内7. 极间电容·三个电极之间都存在着极间电容:栅源电容CGS、栅漏电容CGD和漏源电容CDS·CGS和CGD约为1~3pF·CDS约在0.1~1pF之间8. 矮频噪声系数NF·噪声是由管子内部载流子行动的不规则性所引首的·由于它的存在,就使一个放大器即便在异国信号输人时,在输   出端也展现不规则的电压或电流转折·噪声性能的大幼清淡用噪声系数NF来外示,它的单位为分贝(dB)·这个数值越幼,代外管子所产生的噪声越幼·矮频噪声系数是在矮频周围内测出的噪声系数·场效答管的噪声系数约为几个分贝,它比双极性三极管的要幼第十三节 单元电路13.1  CMOS反相器由本书模拟片面已知,MOSFET有P沟道和N沟道两栽,每栽中又有耗尽型和添强型两类。由N沟道和P沟道两栽MOSFET构成的电路称为互补MOS或CMOS电路。下图外示CMOS反相器电路,由两只添强型MOSFET构成,其中一个为N沟道组织,另一个为P沟道组织。为了电路能平常做事,请求电源电压VDD大于两个管子的开启电压的绝对值之和,即VDD>(VTN+|VTP|) 。

图片

1.做事原理最先考虑两栽极限情况:当vI处于逻辑0时,响答的电压近似为0V;而当vI处于逻辑1时,响答的电压近似为VDD。倘若在两栽情况下N沟道管 TN为做事管P沟道管TP为负载管。但是,由于电路是互补对称的,这栽倘若能够是肆意的,相背的情况亦将导致相通的效果。下图分析了当vI=VDD时的做事情况。在TN的输出特性iD—vDS(vGSN=VDD)(仔细vDSN=vO)上,叠添一条负载线,它是负载管TP在 vSGP=0V时的输出特性iD-vSD。由于vSGP<VT(VTN=|VTP|=VT),负载弯线几乎是一条与横轴重相符的程度线。两条弯线的交点即做事点。隐微,这时的输出电压vOL≈0V(典型值<10mV ,而经过两管的电流挨近于零。这就是说,电路的功耗很幼(微瓦量级)

图片

下图分析了另一栽极限情况,此时对答于vI=0V。此时做事管TN在vGSN=0的情况下行使,其输出特性iD-vDS几乎与横轴重相符 ,负载弯线是负载管TP在vsGP=VDD时的输出特性iD-vDS。由图可知,做事点决定了VO=VOH≈VDD;经过两器件的电流挨近零值 。可见上述两栽极限情况下的功耗都很矮。

图片

由此可知,基本CMOS反相器近似于一理想的逻辑单元,其输出电压挨近于零或+VDD,而功耗几乎为零。2.传输特性下图为CMOS反相器的传输特性图。图中VDD=10V,VTN=|VTP|=VT=2V。由于 VDD>(VTN+|VTP|),因此,当VDD-|VTP|>vI>VTN时,TN和TP两管同时导通。考虑到电路是互补对称的,一器件可将另一器件视为它的漏极负载。还答仔细到,器件在放大区(饱和区)表现恒流特性,两器件之一可当作高阻值的负载。因此,在过渡区域,传输特性转折比较急剧。两管在VI=VDD/2处转换状态。

图片

3.做事速度CMOS反相器在电容负载情况下,它的开通时间与关闭时间是相称的,这是由于电路具有互补对称的性质。下图外示当vI=0V时,TN截止,TP导通,由VDD经过TP向负载电容CL充电的情况。由于CMOS反相器中,两管的gm值均设计得较大,其导通电阻较幼,充电回路的时间常数较幼。相通地,亦可分析电容CL的放电过程。CMOS反相器的平均传输耽延时间约为10ns。

图片

13.2CMOS逻辑门电路1.与非门电路下图是2输入端CMOS与非门电路,其中包括两个串联的N沟道添强型MOS管和两个并联的P沟道添强型MOS管。每个输入端连到一个N沟道和一个P沟道MOS管的栅极。当输入端A、B中只要有一个为矮电一般,就会使与它相连的NMOS管截止,与它相连的PMOS管导通,输出为高电平;仅当A、B全为高电一般,才会使两个串联的NMOS管都导通,使两个并联的PMOS管都截止,输出为矮电平。

图片

因此,这栽电路具有与非的逻辑功能,即

图片

n个输入端的与非门必须有n个NMOS管串联和n个PMOS管并联。2.或非门电路下图是2输入端CMOS或非门电路。其中包括两个并联的N沟道添强型MOS管和两个串联的P沟道添强型MOS管。

图片

当输入端A、B中只要有一个为高电一般,就会使与它相连的NMOS管导通,与它相连的PMOS管截止,输出为矮电平;仅当A、B全为矮电一般,两个并联NMOS管都截止,两个串联的PMOS管都导通,输出为高电平。因此,这栽电路具有或非的逻辑功能,其逻辑外达式为

图片

隐微,n个输入端的或非门必须有n个NMOS管并联和n个PMOS管并联。比较CMOS与非门和或非门可知,与非门的做事管是彼此串联的,其输出电压随管子个数的增补而增补;或非门则相背,做事管彼此并联,对输出电压不致有清晰的影响。因而或非门用得较众。13.3.异或门电路

图片

上图为CMOS异或门电路。它由优等或非门和优等与或非门构成。或非门的输出

图片

。而与或非门的输出L即为输入A、B的异或

图片

如在异或门的后面增补优等反相器就构成异或非门,由于具有

图片

的功能,因而称为同或门。异成门和同或门的逻辑符号如下图所示。

图片

13.4  BiCMOS门电路双极型CMOS或BiCMOS的特点在于,行使了双极型器件的速度快和MOSFET的功耗矮两方面的上风,因而这栽逻辑门电路受到用户的偏重1.BiCMOS反相器

图片

上图外示基本的BiCMOS反相器电路,为了隐微首见,MOSFET用符号M外示BJT用T外示。T1和T2构成推拉式输出级。而Mp、MN、M1、M2所构成的输入级与基本的CMOS反相器很相通。输入信号vI同时作用于MP和MN的栅极。当vI为高电压时MN导通而MP截止;而当vI为矮电压时,情况则相背,Mp导通,MN截止。当输出端接有同类BiCMOS门电路时,输出级能挑供有余大的电流为电容性负载充电。同理,已充电的电容负载也能快捷地经过T2放电。上述电路中T1和T2的基区存储电荷亦可经过M1和M2开释,以添快电路的开关速度。当vI为高电压时M1导通,T1基区的存储电荷快捷消散。这栽作用与TTL门电路的输入级中T1相通。同理 ,当vI为矮电压时,电源电压VDD经过MP以激励M2使M2导通,隐微T2基区的存储电荷经过M2而消散。可见,门电路的开关速度可得到改善。2.BiCMOS门电路根据前述的CMOS门电路的结议和做事原理,同样能够用BiCMOS技术实现或非门和与非门。倘若要实现或非逻辑相关,输入信号用来驱动并联的N沟道MOSFET,而P沟道MOSFET则彼此串联。正如下图所示的2输入端或非门。

图片

当A和B均为矮电一般,则两个MOSFET MPA和MPB均导通,T1导通而MNA和MNB均截止,输出L为高电平。与此同时,M1经过MPA和MpB被VDD所激励,从而为T2的基区存储电荷挑供一条开释通路。另一方面,当两输入端A和B中之一为高电一般 ,则MpA和MpB的通路被断开,并且MNA或MNB导通,将使输出端为矮电平。同时,M1A或M1B为T1的基极存储电荷挑供一条开释道路。因此 ,只要有一个输入端接高电平,输出即为矮电平。13.5、CMOS传输门MOSFET的输出特性在原点附近呈线性对称相关,因而它们常用作模拟开关。模拟开关普及地用于取样——保持电路、斩波电路、模数和数模转换电路等。下面偏重介绍CMOS传输门。

图片

所谓传输门(TG)就是一栽传输模拟信号的模拟开关。CMOS传输门由一个P沟道和一个N沟道添强型MOSFET并联而成,如上图所示。TP和TN是组织对称的器件,它们的漏极和源极是可互换的。设它们的开启电压|VT|=2V且输入模拟信号的转折周围为-5V到+5V 。为使衬底与漏源极之间的PN结任何时刻都不致正偏 ,故TP的衬底接+5V电压,而TN的衬底接-5V电压 。两管的栅极由互补的信号电压(+5V和-5V)来限制,别离用C和

图片

外示。传输门的做事情况如下:当C端接矮电压-5V时TN的栅压即为-5V,vI取-5V到+5V周围内的肆意值时,TN均不导通。同时,TP的栅压为+5V,TP亦不导通。可见,当C端接矮电压时,开关是断开的。为使开关接通,可将C端接高电压+5V。此时TN的栅压为+5V ,vI在-5V到+3V的周围内,TN导通。同时TP的棚压为-5V ,vI在-3V到+5V的周围内TP将导通。由上分析可知,当vI<-3V时,仅有TN导通,而当vI>+3V时,仅有TP导通当vI在-3V到+3V的周围内,TN和TP两管均导通。进一步分析还可望到,一管导通的程度愈深,另一管的导通程度则响答地减幼。换句话说,当一管的导通电阻减幼,则另一管的导通电阻就增补。由于两管系并联运走,可近似地认为开关的导通电阻近似为一常数。这是CMOS传输出门的益处。在平常做事时,模拟开关的导通电阻值约为数百欧,当它与输入阻抗为兆欧级的运放串接时,能够无视不计。CMOS传输门除了行为传输模拟信号的开关之外,也可行为各栽逻辑电路的基本单元电路。13.6 整流电路

图片

桥式整流电路13.7滤波电路

图片

(a) C型滤波电路 (b) 倒L型滤波电路 (c) Ⅱ型滤波电路图1(3)几栽常见的桥式整流滤波电路:A 电容滤波电路:

图片

图片

B电感滤波电路

图片

13.8.反馈电路1.正反馈:是指反馈回来的信号添强输入信号(常用与振荡电路);负反馈:是指反馈回来的信号减弱原输入信号(用与放大电路)。2.判别正负反馈的手段——瞬时极性法"瞬时极性法"是用来判断正反馈照样负反馈的。吾们在放大器输入端的基极施添一个信号电压VI,设某一瞬时该信号的极性为正信号,用"(+)"外示,经三极管V的集电极倒相后变为负信号,用"(一)"来外示。发射极与基极同相位,仍为"(+)"信号,众级放大器在这一瞬时的极性挨次类推,倘若在这一瞬时反馈电阻RF的反馈信号使输入信号强化,则为正反馈,使得输入信号减弱,则为负反馈。4. 负反馈放大电路的四栽类型:A电压串联负反馈          B 电压并联负反馈C电流串联负反馈          D电流并联负反馈13.9放大电路三栽基本组态的放大电路图:

图片

共发射极放大电路

图片

            

图片

共基极放大电路                                共集电极放大电路仔细:放大电路共发射极时,Ai和Au都比较大,但是输出电压和输入电压的相位相背;共基极时,Ai比较大,但是Au较幼,输出电压与输入电压同相,并且具有陪同相关,它可行为输入级,输出级或首阻隔作用的中心级;共集电极时,Ai较幼,Au较大,输出电压与输入电压同相,众用于宽频带放大等。对于众级放电电路:在众级放大器中,由于各级之间是串联首来的,后优等的输入电阻就是前级的负载,因此,众级放大器的总电压放大倍数等于各级放大倍数的乘积,即Au=Au1Au2……Aun。仔细:若反馈信号取自输出电压信号,则称为电压反馈;若反馈信号取自输出电流信号,则称为电流反馈。(清淡,采用将负载电阻短路的手段来判别电压反馈和电流反馈。详细手段是:若将负载电阻 R L 短路,倘若反馈作用消逝,则为电压反馈;倘若反馈作用存在,则为电流反馈。 );若反馈信号与输入信号在基本放大电路的输入端以电压串联的样式迭添,则称为串联反馈;若反馈信号与输入信号在基本放大电路的输入端以电流并联的样式迭添,则称为并联反馈。13.10.振荡电路1、电感三点式振荡器

图片

考虑L1、L2间的互感,电路的振荡频率可近似外示为

图片

2、电容三点式振荡器

图片

振荡频率:

图片